Автор: Низкоуровневый взгляд на то, как Intel производит свои процессоры.
После февральского видео, где показывалось путешествие процессора от концепции до потребителя, Intel опубликовала ещё одно видео. Там можно узнать, как выглядит производственный процесс. На это стоит посмотреть, особенно с учётом проблем Intel в освоении техпроцесса 10 нм.
Процесс превращения кучки песка в мозг компьютера довольно запутанный. Чип проезжает сотни километров по автоматизированным линиям Intel, переходя от одного инструмента к другому. Процессор, а точнее пластина, проходит больше тысячи этапов формирования транзисторов, прежде чем отправляется на упаковку.
Intel вкратце рассказала о некоторых технологиях, которые являются основой техпроцесса FinFET. Например, формирование High-K Metal Gate и Gate-Last. В одном разделе упоминается технология Intel COAG (contact over active gate, контакт через активный затвор). Слухи утверждают, что именно здесь кроется проблема Intel в освоении техпроцесса 10 нм.
Дальше на видео показывается, как добавляются десятки взаимосвязанных проводников, которые создают сложные цепи. Если говорить упрощённо, сопротивление растёт с уменьшением размера транзисторов, а масштабирование проводников до размера транзисторов приносит с собой новые трудности, вроде электромиграции. Чтобы обойти эту проблему, Intel отказалась от медных проводников в пользу кобальтовых. В этом также могут скрываться проблемы техпроцесса 10 нм.
Intel недавно рассказала, что в будущем собирается обойти конкурентов, в первую очередь TSMC, и вырваться в лидеры по техпроцессу. Равенство с TSMC должно быть достигнуто не раньше конца 2021 года, когда ожидается появление техпроцесса 7 нм, если с ним тоже не будет задержек. Intel может стать лидером не раньше техпроцесса 5 нм, который появится в лучшем случае в 2023 году.
